分野別プログラム

領域9

20日 J1会場　20aJ1　9:00〜12:30

領域9（7番目招待講演のみ領域5と合同）
結晶成長

1: Ni箔上へのグラフェン/h-BNヘテロ成長のPEEMによるその場観察; 東北大多元研^A, 東北大SRIS^B; 遊佐龍之介^A, 志水哲也^A, 虻川匡司^{A, B}, 小川修一^{A, B}
2: CVD法によるグラフェン結晶成長に対する鈍化の機構; 産総研^A, 東京大^B; 関和彦^A, 斉木幸一朗^B
3: 実空間密度汎関数法によるSiC表面およびステップ近傍における原子拡散の解明; 名大未来研; 制野かおり, 押山淳
4: 温度昇降による安定相から準安定相への変換 II; 北大低温研, 愛工大自然^A; 勝野弘康, 上羽牧夫^A
5: ファセット化ラフな微斜面のステップダイナミクス：非平衡定常状態; 大阪電通大工; 阿久津典子
6: 異方表面張力によって生じたマクロステップの凝集/分散スケーリング関数とラフネス指数; 大阪電通大工; 阿久津典子

休憩　（10:30〜10:45)

7: （招待講演）キラルプラズモン近接場を駆使したキラル結晶核形成制御; 北海道大学低温科学研究所; 新家寛正
8: Si基板上における低温蒸着した黒燐構造Bi超薄膜の室温アニールによる成長過程; 東工大理, 東工大物質理工^A; 志村舞望, 潮田亮太, 中辻寛^A, 平山博之
9: Si(111)7×7基板上に低温蒸着させたビスマス超薄膜の構造相転移の臨界点におけるBi(111)テラスの構造; 東工大理, 東工大理^A, 東工大物質理工^B; 笹川直希, 潮田亮太^A, 中辻寛^B, 平山博之^A
10: 有機物の結晶化における結晶成長速度異常性と不純物効果; 都立大物理; 八島拓未, 谷茉莉, 栗田玲
11: ポリプロピレン・コポリマーの結晶多形と成長機構; 広大院先進理工, 東洋紡^A; 田口健, 戸田昭彦, 山田浩司^A
12: 高分子結晶化過程で起こる微結晶凝集体の成長キネティクスIV; 京大院人間・環境, 広大院総科^A, 立命館大理工^B; 小西隆士, 田所大輔, 田口健^A, 深尾浩次^B, 宮本嘉久

20日 J1会場　20pJ1　13:30〜17:10

領域9，領域3，領域4，領域5，領域8
Interdisciplinary surface science researches toward innovative materials and devices

^●1: （一般シンポジウム講演）Opening remarks; IMaSS, Nagoya Univ.; Toshio Miyamachi
^●2: （一般シンポジウム講演）Ultrafast carrier dynamics in dichalcogenides; National Synchrotron Radiation Research Center; Ro-Ya Liu
^●3: （一般シンポジウム講演）ARPES study of novel topological materials and hybrids; Dept. Phys., Tohoku Univ.; Kosuke Nakayama
^●4: （一般シンポジウム講演）Origin of surface-interface phenomena towards efficient terahertz device development by first-principles simulations; Research Center for Development of Far-Infrared Region, University of Fukui (FIR-UF); Mary Clare Escaño
^●5: （一般シンポジウム講演）Role of pyridinic nitrogen as an active site of carbon catalysts; Univ. Tsukuba; Kotaro Takeyasu

休憩　（15:15〜15:30)

^●6: （一般シンポジウム講演）Novel function and its mechanism realized at the graphene/substrate interface; Nagoya Univ.; Wataru Norimatsu
^●7: （一般シンポジウム講演）Multiscale analyses of interfaces and phase equilibria in magnetic materials; Dept. Mater. Sci. Eng., Tokyo Tech; Yoshihiro Gohda
^●8: （一般シンポジウム講演）Induced effects by introducing ferromagnetism into topological insulators; Univ. of Tokyo; Ryota Akiyama
^●9: （一般シンポジウム講演）Spin-charge currents interconversion using interfaces; ISSP, Univ. of Tokyo; Hironari Isshiki

21日 J1会場　21aJ1　9:00〜12:30

領域9
電子物性，ダイナミクス

1: 反射高速電子回折条件下での表面プラズモン異常励起; 大同大工, 名大院工^A, 東北大多元研^B; 堀尾吉已, 中原仁^A, 柚原淳司^A, 高桑雄二^B
2: 蛍光体/試料界面でのエネルギー移動の可視化による伝導度顕微観察; 阪大産研, 阪大院基礎工^A, 滋賀県立大工^B, 奈良先端大^C; 服部梓, 一宮正義^{A, B}, 服部賢^C, 芦田昌明^A, 田中秀和
3: THz電場駆動トンネル電子により誘起される局在プラズモンからの発光観測; 理研SISL^A, 横国大院理工^B; 木村謙介^A, 森永悠太^B, 今田裕^A, 片山郁文^B, 浅川寛太^B, 吉岡克将^B, 金有洙^A, 武田淳^{A, B}
4: 原子レベルでの摩擦の制御; 金沢大理工, DIPC^A, IKERBASQUE^B, Univ. of Regensburg^C; 岡林則夫, Thomas Frederiksen^{A, B}, Alexander Liebig^C, Franz J. Giessibl^C
5: 表面増強ラマン散乱を用いた振動温度による単分子接合における局所加熱効果の観測; 東工大理^A, JSTさきがけ^B; 金子哲^{A, B}, 西野智昭^A
6: 遅延効果を含んだ局在表面プラズモンの正準量子化; 分子研, ノースウエスタン大^A; 三輪邦之, George C. Schatz^A

休憩　（10:30〜10:45)

7: 単原子層ラシュバ表面系(Tl,Pb)/Si(111)での円偏光フォトガルバニック効果; 東大理; 谷内息吹, 秋山了太, 保原麗, 長谷川修司
8: SiC基板上のCaインターカレートグラフェンにおける超伝導; 東大理, 東工大理^A, 東大物性研^B, 東大低温セ^C; 遠山晴子, 秋山了太, 橋爪瑞葵^A, 一ノ倉聖^A, 飯盛拓嗣^B, 松井朋裕, 堀井健太郎^A, 佐藤瞬亮, 保原麗, 遠藤由大, 福山寛^C, 平原徹^A, 小森文夫^B, 長谷川修司
^●9: Interface hot carrier dynamics in epitaxial graphene by time-resolved ARPES; 東大物性研, 東大特別教授室^A, 東北大通研^B, 九州大工^C; Yuhao Zhao, Takeshi Suzuki, Takushi Iimori, Qianhui Ren, Yusuke Sato, Teruto Kanai, Jiro Itatani, Kozo Okazaki, Shik Shin^A, Hirokazu Fukidome^B, Satoru Tanaka^C, Fumio Komori, Iwao Matsuda
^●10: Full tight-binding computational study of asymmetrically doped twisted bi- and trilayer graphene in relation with ARPES measurements; Kyushu Univ.^A, Univ. of Tokyo^B; Anton Visikovskiy^A, Hitoshi Imamura^A, Takushi Iimori^B, Kazuhiko Mase^B, Fumio Komori^B, Satoru Tanaka^A
^●11: First Principles Analysis of NO dissociation on the Quaternary Alloy PdRuIrM (M=Ni, Co, Fe): Effect of the fourth metal alloy on surface reactivity; Nat’l. Inst. of Tech., Akashi Col.^A, Osaka Univ.^B, Univ. of Tokyo^C; Aspera Susan Meñez^A, Arevalo Ryan Lacdao^A, Chantaramolee Bhume^A, Nakanishi Hiroshi^{A, B, C}, and Kasai Hideaki^{A, B}
12: Au(111)表面におけるAtの吸着状態; 阪大放射線科学^A, 明石高専^B; 笠井秀明^{A, B}, 岡田美智雄^A, 小川哲生^A, スーサンメネスアスペラ^B, 中西寛^B
13: システインのドーパキノンへの吸着過程; 九大院生体材料^A, 阪大放射線科学^B, 明石高専^C; 岸田良^A, ^○笠井秀明^{B, C}, スーサンメネスアスペラ^C, 中西寛^C

22日 G1会場　22aG1　9:15〜12:00

領域7（3，6，8番目のみ領域4と合同。7番目のみ領域9と合同）
グラフェン関連

1: グラフェン上吸着リンカー分子の理論的構造解析; 阪大院基礎工, 兵県大院理; 大石泰弘, 草部浩一
2: DFTによる応力下のAu₂S単層の構造・物性の解析; 東大物性研; 福田将大, 尾崎泰助
3: 周期的欠陥のある半導体グラフェンを用いた積層系の設計と電子物性研究; 東工大理; 田口裕太, 斎藤晋
4: 2次元金属炭素同素体の物質設計; 筑波大数理; 岡田晋, グエンタンクン, 丸山実那, 高燕林
5: コラニュレン分子と二層グラフェンからなる複合系の構造と電子状態; 筑波大数理; 丸山実那, 岡田晋

休憩　（10:30〜10:45)

6: グラフェン界面の電気二重層における幾何キャパシタンス; 岡山大基礎研; Lei Zhi, ^○後藤秀徳, 三浦明香里, 江口律子, 久保園芳博
7: 水素プラズマエッチングで作製したグラフェンジグザグ端の終端状態; アンリツ先端研, 東大物性研^A; 越智太亮, 鎌田雅博, 横澤峻元, 向井考三^A, 吉信淳^A, 松井朋裕
8: 人工積層によって界面を導入したグラファイトの作製と輸送特性評価; 東大物性研; 田縁俊光, 長田俊人
9: 平行アームチェアナノチューブ側面接合によるバレー流のフィルタリングと反転; 静大工; 田村了
10: 単層カーボンナノチューブ薄膜におけるホール効果; 都立大理, Rice Univ.^A; 蓬田陽平, 堀内加奈子, 岡田遼太朗, 河合英輝, 一ノ瀬遥太, 西留比呂幸, 上治寛, N. Komatsu^A, W. Gao^A, J. Kono^A, 柳和宏

22日 J1会場　22aJ1　9:00〜12:30

領域9
電子状態
（トポロジカル物質・原子層物質）

1: Sb/Bi(111)接合界面におけるトポロジカル表面電子状態の研究; 早大先進理工, 佐賀大SLセ^A; 阿部浩子, 今村真幸^A, 高橋和敏^A, 高山あかり
2: 立方対称性をもつ絶縁体のヒンジ電荷および分数コーナー電荷の解析; 東工大理^A, 東大院工^B, 東工大元素戦略セ^C; 内藤克明^A, 高橋亮^A, 渡辺悠樹^B, 村上修一^{A, C}
3: 表面吸着によるトポロジカル絶縁体Be₂Se₃のキャリアドーピングの理論的な解析; 千葉大院融^A, 阪大院生工^B, 千葉大MCRC^C; 樊澄^A, 坂本一之^{A, B, C}, クリューガーピーター^{A, C}
4: ナノスケールのチューリング・パターン：単層ビスマスの形態形成; 電通大基盤理工, 北大低温研^A, パリ高等物理化学学校^B, スタンフォード大^C; 伏屋雄紀, 勝野弘康^A, K. Behnia^B, A. Kapitulnik^C
5: BiSb系におけるトポロジカルヘテロ構造の表面状態; 電通大基盤理工; 浅香雄哉, 菊地樹, 伏屋雄紀
6: NbドープSrTiO₃上の単層FeSeの電気伝導測定; 東工大理, 東工大物質^A; 出高志朗, 小林俊博, 田中友晃, 一ノ倉聖, 清水亮太^A, 一杉太郎^A, 平原徹

休憩　（10:30〜10:45)

7: 水素終端SiC上のBi原子層膜の高分解能ARPES; 東北大院理^A, 東北大CSRN^B, 東北大WPI-AIMR^C, JST-PRESTO^D, 東北大SRIS^E; 八重樫健^A, 川上竜平^A, 加藤剛臣^A, 猿田康朗^A, 菅原克明^{A, B, C, D}, 高橋隆^{A, B, C}, 佐藤宇史^{A, B, C, E}
8: グラフェン/CuおよびhBN/Cu表面C吸着におけるファンデルワールス力補正効果; 島根大院自然, NTT物性基礎研^A, 関西学院大理工^B; 影島博之, Shengnan Wang^A, 日比野浩樹^B
9: 高分解能ARPESによるNbTe₂原子層の特異電子状態; 東北大院理^A, 東北大WPI-AIMR^B, 東北大CSRN^C, JST-PRESTO^D, 東北大SRIS^E; 菅原克明^{A, B, C, D}, 田口大樹^A, 岡博文^B, 川上竜平^A, 猿田康朗^A, 加藤剛臣^A, 中山耕輔^{A, D}, 相馬清吾^{B, C}, 高橋隆^{A, B, C}, 福村知昭^{A, B, C}, 佐藤宇史^{A, B, C, E}
10: 大面積数度ツイストグラフェンの電子状態; 東大物性研, 九大院工^A, 名大未来研^B, 東工大総理工^C, 高エネ研^D; 飯盛拓嗣, 今村均^A, 宮町俊生^B, 服部琢磨, 中辻寛^C, 北村未歩^D, 堀場弘司^D, 間瀬一彦^D, Visikovskiy Anton^A, 田中悟^A, 小森文夫
^●11: Local Effect of Surface Reconstruction on Superconducting Monolayer FeSe on SrTiO₃ √13×√13; Sch. of Sci., Tokyo Tech; SI WEN, TOMOAKI TANAKA, SATORU ICHINOKURA, TORU HIRAHARA
12: 単層近藤格子CePt₂/Pt(111)の構造と電子状態; 東大物性研^A, 東工大理^B, KAIST^C, 名大工^D, 東大生産研^E; 家永紘一郎^{A, B}, 金聖憲^{A, C}, 宮町俊生^{A, D}, ^○小森文夫^{A, E}
13: Liインターカレートした単層および多層グラフェンにおける質量のあるディラックコーン; 東工大理, 分子研UVSOR^A, 東工大物質^B; 一ノ倉聖, 豊田雅之, 橋爪瑞葵, 堀井健太郎, 出田真一郎^A, 田中清尚^A, 清水亮太^B, 一杉太郎^B, 斎藤晋, 平原徹

22日 C2会場　22pC2　13:30〜17:00

領域3（8〜9番目のみ領域9と合同）
スピンカロリトロニクス，薄膜・ナノ磁性

1: Mn2-xCrxSbにおける磁気相転移を用いた単一物質ペルチェ効果の観測; 東大総合文化; 仲川久礼亜, 横内智行, 塩見雄毅
2: 反強磁性絶縁体におけるスピンゼーベック効果の微視的理論; 茨城大理; 増田圭佑, 佐藤正寛
3: スピンゼーベック効果素子の高エネルギー重イオン照射耐性; 原子力機構, 量研機構^A, NEC^B, 東大物工^C; 岡安悟, 針井一哉^A, 家田淳一, 小野正雄, 小畠雅明, 福田竜生, 吉井賢資, 石田真彦^B, 齊藤英治^C
4: 熱スピン変換を用いた発電機構; 東大理; 藤本純治, 小形正男
5: Dirac電子系のSeebeck効果とスピンNernst効果; 東大理; 藤本純治, 小形正男
6: 反強磁性体におけるマグノンの非線形スピンネルンスト効果とひずみにより調整できる純スピン流; 東大理; 近藤寛記, 赤城裕

休憩　（15:00〜15:15)

7: Mn系規則合金薄膜における巨大なトポロジカルホール効果の検出; 物材機構; 杉本聡志, 高橋有紀子, 葛西伸哉
8: 3nm厚のCr(001)薄膜で観測された特異なスピンフラストレーション; 大阪教育大, 名古屋大未来材料システム研^A, 阪大産研^B; 川越毅, 宮町俊生^A, 菅滋正^B
9: ピラミッド構造ファセット面上の鉄ナノ薄膜の立体形状磁性; 奈良先端大, 阪大産研^A; Liliany N. Pamasi, Aydar Irmikimov, 阪井雄也, 清水智也, 楊浩邦, 服部梓^A, 大坂藍^A, 田中秀和^A, ^○服部賢
10: PEG包含Ni-Zn ferriteナノ微粒子の熱散逸特性とNéelおよびBrown緩和現象; 横国大院理工^A, 横国大院環情^B, 阪大院理 RCTES^C; 児玉慶太^A, 濵田颯太^A, 梨本健太朗^A, 小原健太郎^A, 青木孝太^B, 中澤健太^B, 一柳優子^{A, C}
11: パルスレーザー照射下でのGdFeCo薄膜の磁区の時間分解測定; 兵県大物質理, 東北大工^A, 分子研^B, JASRI^C; 安部弘隆, 高橋龍之介, 高橋宏和^A, 山本航平^B, 角田匡清^A, 大河内拓雄^C, 木下豊彦^C, 和達大樹
^●12: Magneto-Thermo-Transport of Cr1+δTe¬2 Epitaxial Films; OIST; Mohamed Atwa, Matthieu Colliard, Yuita Fujisawa, Markel Pardo-Almanza, Yoshinori Okada
13: Pt-Cuナノ粒子のNMRによる研究; 京大院物理, 京大院化学^A; 木下雄大, 奥野友則, 北川俊作, 石田憲二, 草田康平^A 北川宏^A

22日 J1会場　22pJ1　13:30〜16:45

領域9（7番目招待講演のみ領域5，領域8と合同）
表面界面構造物性

1: 低視射角入射電子線を用いた表面極敏感カソードルミネッセンス法開発とGa2O3表面近傍欠陥の検出; 奈良先端大, AIST^A, 兵庫県立大^B, 京大^C; 武田さくら, 大上丞, 加納朱杜, 加藤有香子^A, 三木一司^B, 山中俊朗^C, 奥野健也
2: W-RHEEDによるSi(110)3×2-Bi表面構造の決定; 東北大多元研^A, 東北大国際放射光^B; 青山大晃^A, 虻川匡司^{A, B}
3: 金属表面上の水素位置に敏感なRHEED回折条件; 東大生研^A, 電機大工^B, 原研先端基礎研^C; 川村隆明^{A, B}, 深谷有喜^C, 福谷克之^{A, C}
4: 偏析法によるAg-Al(111)合金薄膜表面上のゲルマネンの創製; 名大院工^A, エクス-マルセイユ大^B; 松場大樹^A, 荻窪剛^A, 大田晃生^A, 柚原淳司^A, Guy Le Lay^B
5: STM-TERSによるヘリセン誘導体の局所構造観察; 阪大工, 和歌山大シス工^A; 服部卓磨, 岡田将希, 鈴木凌, 大須賀秀次^A, 齋藤彰, 桑原裕司
6: 冷熱衝撃試験によるステンレス鋼の硬さ変化; 東理大, 横浜市大^A; 宮澤薫一, 鈴木凌^A, 橘勝^A, 田中優実

休憩　（15:00〜15:15)

7: （招待講演）光電子運動量顕微鏡の拠点構築と展開; 分子研UVSOR; 松井文彦
8: CVD単層グラフェンのドメイン分布の解析; 横国大院理工, 分子研^A; 青栁良英, ^○大野真也, 松井文彦^A
9: Biをインターカレートさせたグラフェン/Bi[2012]/Cu(111)のSTM観測; 東工大理, 東工大物質理工^A; 笠井大雅, 山上剛史, 中辻寛^A, 平山博之
10: Cu(111)表面での真空加熱処理によるカーボンナノチューブのグラフェンナノリボン化; 千葉大院工; 山田豊和, 高原茂
11: 巨大ダイポールIr(III)錯体による一次元ナノワイヤー成長; 千葉大院工; 山田豊和, 横田健太, 中澤芳洋, 荒本夏帆, 根本諒平, ピータークリューガー, 唐津孝

23日 J1会場　23aJ1　9:00〜12:30

領域9
表面物理化学

1: 吸着分子がグラフェン担持白金単原子の安定性に与える影響; 北大院工; 國貞雄治, 坂口紀史
2: ヘテロダイン検出和周波発生振動分光によるPt(533)上氷薄膜の界面構造; 京大院理; 長塚直樹, 村谷統哉, 柴田昴, 渡邊一也
3: Pt(533)表面の水の吸着構造における水素共吸着効果; 京大院理; 土屋維智彦, 長塚直樹, 渡邊一也
4: 顕微X線光電子分光による天然アナターゼTiO₂結晶表面のエッジとテラスの光触媒活性と価電子バンド構造の相関; 広島大院先進理工, 東工大理^A, KEK物構研^B, 産総研^C, 総研大^D; 廣森慧太, 小澤健一^{A, B}, 相浦義弘^C, 間瀬一彦^{B, D}, 中島伸夫
5: シュテルン-ゲルラッハ磁石を用いたスピン偏極水素原子ビームの偏極度測定; 東大生研^A, 原研先端基礎研^B, 電大^C; 中津裕貴^A, 島崎紘太^A, 長屋勇輝^A, 植田寛和^B, 小倉正平^C, 福谷克之^{A, B}
6: Cu(111)モデル触媒上のCO₂-メタノール転換における不安定中間体の検出; 筑波大数理物質^A, 産総研^B; 武安光太郎^A, 澤樹保隆^A, 今林拓海^A, 近藤剛弘^A, 藤谷忠宏^B, 中村潤児^A

休憩　（10:30〜10:45)

^●7: A Theoretical Comparison of Potential Energy for Hydrogen Diffusion Through Three-layered Pd-111 and Five-layered Pd-111; Osaka Univ.^A, Nat’l. Inst. of Tech., Akashi Col.^B; Jeffrey TANUDJI^A, Hideaki KASAI^B
8: ZrO2上のPdクラスターの電子状態; 高輝度セ; 中田謙吾, 本間徹生
9: Pd中水素のT-Oサイト間量子拡散における非断熱効果; 東大生研^A, 筑波大数理^B, 原子力機構先端研^C; 小澤孝拓^A, 杉澤悠紀^B, 岸奈津子^B, 関場大一郎^B, 福谷克之^{A, C}
10: Si(111)上の(Mg, In)表面合金の電子状態; 京大院理; 寺川成海, 八田振一郎, 奥山弘, 有賀哲也
11: Si及びGe(001)表面ダイマーのフリップフロップ運動の原子レベルメカニズム; 九大院総理工, 阪大QIQB^A; 塩田知弥, 栃原浩, 水上渉^A, 折本裕一, 青木百合子
12: 水素化LaNiO₃の金属絶縁体転移; 東大生研^A, 大阪大産研^B, 原研先端基礎研^C; 松澤郁也^A, 西谷侑将^A, 小澤孝拓^A, Umar Sidik^B, 服部梓^B, 田中秀和^B, 福谷克之^{A, C}
13: ダブルペロブスカイトBa₂PrBiO₆表面における水分子の反応性：第一原理計算; 岩手大理工, 物材機構, Fac. of Sci. and Eng. Iwate Univ., NIMS^A; 西館数芽, 松川倫明, 谷口晴香, 松下明行^A, 長谷川正之