分野別プログラム

領域9

20日 J1会場 20aJ1 9:00〜12:30

領域9(7番目招待講演のみ領域5と合同)
結晶成長

1
Ni箔上へのグラフェン/h-BNヘテロ成長のPEEMによるその場観察
東北大多元研A, 東北大SRISB
遊佐龍之介A, 志水哲也A, 虻川匡司A, B, 小川修一A, B
2
CVD法によるグラフェン結晶成長に対する鈍化の機構
産総研A, 東京大B
関和彦A, 斉木幸一朗B
3
実空間密度汎関数法によるSiC表面およびステップ近傍における原子拡散の解明
名大未来研
制野かおり, 押山淳
4
温度昇降による安定相から準安定相への変換 II
北大低温研, 愛工大自然A
勝野弘康, 上羽牧夫A
5
ファセット化ラフな微斜面のステップダイナミクス:非平衡定常状態
大阪電通大工
阿久津典子
6
異方表面張力によって生じたマクロステップの凝集/分散スケーリング関数とラフネス指数
大阪電通大工
阿久津典子

休憩 (10:30〜10:45)

7
(招待講演)キラルプラズモン近接場を駆使したキラル結晶核形成制御
北海道大学低温科学研究所
新家寛正
8
Si基板上における低温蒸着した黒燐構造Bi超薄膜の室温アニールによる成長過程
東工大理, 東工大物質理工A
志村舞望, 潮田亮太, 中辻寛A, 平山博之
9
Si(111)7×7基板上に低温蒸着させたビスマス超薄膜の構造相転移の臨界点におけるBi(111)テラスの構造
東工大理, 東工大理A, 東工大物質理工B
笹川直希, 潮田亮太A, 中辻寛B, 平山博之A
10
有機物の結晶化における結晶成長速度異常性と不純物効果
都立大物理
八島拓未, 谷茉莉, 栗田玲
11
ポリプロピレン・コポリマーの結晶多形と成長機構
広大院先進理工, 東洋紡A
田口健, 戸田昭彦, 山田浩司A
12
高分子結晶化過程で起こる微結晶凝集体の成長キネティクスIV
京大院人間・環境, 広大院総科A, 立命館大理工B
小西隆士, 田所大輔, 田口健A, 深尾浩次B, 宮本嘉久

20日 J1会場 20pJ1 13:30〜17:10

領域9,領域3,領域4,領域5,領域8
Interdisciplinary surface science researches toward innovative materials and devices

1
(一般シンポジウム講演)Opening remarks
IMaSS, Nagoya Univ.
Toshio Miyamachi
2
(一般シンポジウム講演)Ultrafast carrier dynamics in dichalcogenides
National Synchrotron Radiation Research Center
Ro-Ya Liu
3
(一般シンポジウム講演)ARPES study of novel topological materials and hybrids
Dept. Phys., Tohoku Univ.
Kosuke Nakayama
4
(一般シンポジウム講演)Origin of surface-interface phenomena towards efficient terahertz device development by first-principles simulations
Research Center for Development of Far-Infrared Region, University of Fukui (FIR-UF)
Mary Clare Escaño
5
(一般シンポジウム講演)Role of pyridinic nitrogen as an active site of carbon catalysts
Univ. Tsukuba
Kotaro Takeyasu

休憩 (15:15〜15:30)

6
(一般シンポジウム講演)Novel function and its mechanism realized at the graphene/substrate interface
Nagoya Univ.
Wataru Norimatsu
7
(一般シンポジウム講演)Multiscale analyses of interfaces and phase equilibria in magnetic materials
Dept. Mater. Sci. Eng., Tokyo Tech
Yoshihiro Gohda
8
(一般シンポジウム講演)Induced effects by introducing ferromagnetism into topological insulators
Univ. of Tokyo
Ryota Akiyama
9
(一般シンポジウム講演)Spin-charge currents interconversion using interfaces
ISSP, Univ. of Tokyo
Hironari Isshiki

21日 J1会場 21aJ1 9:00〜12:30

領域9
電子物性,ダイナミクス

1
反射高速電子回折条件下での表面プラズモン異常励起
大同大工, 名大院工A, 東北大多元研B
堀尾吉已, 中原仁A, 柚原淳司A, 高桑雄二B
2
蛍光体/試料界面でのエネルギー移動の可視化による伝導度顕微観察
阪大産研, 阪大院基礎工A, 滋賀県立大工B, 奈良先端大C
服部梓, 一宮正義A, B, 服部賢C, 芦田昌明A, 田中秀和
3
THz電場駆動トンネル電子により誘起される局在プラズモンからの発光観測
理研SISLA, 横国大院理工B
木村謙介A, 森永悠太B, 今田裕A, 片山郁文B, 浅川寛太B, 吉岡克将B, 金有洙A, 武田淳A, B
4
原子レベルでの摩擦の制御
金沢大理工, DIPCA, IKERBASQUEB, Univ. of RegensburgC
岡林則夫, Thomas FrederiksenA, B, Alexander LiebigC, Franz J. GiessiblC
5
表面増強ラマン散乱を用いた振動温度による単分子接合における局所加熱効果の観測
東工大理A, JSTさきがけB
金子哲A, B, 西野智昭A
6
遅延効果を含んだ局在表面プラズモンの正準量子化
分子研, ノースウエスタン大A
三輪邦之, George C. SchatzA

休憩 (10:30〜10:45)

7
単原子層ラシュバ表面系(Tl,Pb)/Si(111)での円偏光フォトガルバニック効果
東大理
谷内息吹, 秋山了太, 保原麗, 長谷川修司
8
SiC基板上のCaインターカレートグラフェンにおける超伝導
東大理, 東工大理A, 東大物性研B, 東大低温セC
遠山晴子, 秋山了太, 橋爪瑞葵A, 一ノ倉聖A, 飯盛拓嗣B, 松井朋裕, 堀井健太郎A, 佐藤瞬亮, 保原麗, 遠藤由大, 福山寛C, 平原徹A, 小森文夫B, 長谷川修司
9
Interface hot carrier dynamics in epitaxial graphene by time-resolved ARPES
東大物性研, 東大特別教授室A, 東北大通研B, 九州大工C
Yuhao Zhao, Takeshi Suzuki, Takushi Iimori, Qianhui Ren, Yusuke Sato, Teruto Kanai, Jiro Itatani, Kozo Okazaki, Shik ShinA, Hirokazu FukidomeB, Satoru TanakaC, Fumio Komori, Iwao Matsuda
10
Full tight-binding computational study of asymmetrically doped twisted bi- and trilayer graphene in relation with ARPES measurements
Kyushu Univ.A, Univ. of TokyoB
Anton VisikovskiyA, Hitoshi ImamuraA, Takushi IimoriB, Kazuhiko MaseB, Fumio KomoriB, Satoru TanakaA
11
First Principles Analysis of NO dissociation on the Quaternary Alloy PdRuIrM (M=Ni, Co, Fe): Effect of the fourth metal alloy on surface reactivity
Nat’l. Inst. of Tech., Akashi Col.A, Osaka Univ.B, Univ. of TokyoC
Aspera Susan MeñezA, Arevalo Ryan LacdaoA, Chantaramolee BhumeA, Nakanishi HiroshiA, B, C, and Kasai HideakiA, B
12
Au(111)表面におけるAtの吸着状態
阪大放射線科学A, 明石高専B
笠井秀明A, B, 岡田美智雄A, 小川哲生A, スーサン メネス アスペラB, 中西寛B
13
システインのドーパキノンへの吸着過程
九大院生体材料A, 阪大放射線科学B, 明石高専C
岸田良A, 笠井秀明B, C, スーサン メネス アスペラC, 中西寛C

22日 G1会場 22aG1 9:15〜12:00

領域7(3,6,8番目のみ領域4と合同。7番目のみ領域9と合同)
グラフェン関連

1
グラフェン上吸着リンカー分子の理論的構造解析
阪大院基礎工, 兵県大院理
大石泰弘, 草部浩一
2
DFTによる応力下のAu2S単層の構造・物性の解析
東大物性研
福田将大, 尾崎泰助
3
周期的欠陥のある半導体グラフェンを用いた積層系の設計と電子物性研究
東工大理
田口裕太, 斎藤晋
4
2次元金属炭素同素体の物質設計
筑波大数理
岡田晋, グエン タン クン, 丸山実那, 高燕林
5
コラニュレン分子と二層グラフェンからなる複合系の構造と電子状態
筑波大数理
丸山実那, 岡田晋

休憩 (10:30〜10:45)

6
グラフェン界面の電気二重層における幾何キャパシタンス
岡山大基礎研
Lei Zhi, 後藤秀徳, 三浦明香里, 江口律子, 久保園芳博
7
水素プラズマエッチングで作製したグラフェンジグザグ端の終端状態
アンリツ先端研, 東大物性研A
越智太亮, 鎌田雅博, 横澤峻元, 向井考三A, 吉信淳A, 松井朋裕
8
人工積層によって界面を導入したグラファイトの作製と輸送特性評価
東大物性研
田縁俊光, 長田俊人
9
平行アームチェアナノチューブ側面接合によるバレー流のフィルタリングと反転
静大工
田村了
10
単層カーボンナノチューブ薄膜におけるホール効果
都立大理, Rice Univ.A
蓬田陽平, 堀内加奈子, 岡田遼太朗, 河合英輝, 一ノ瀬遥太, 西留比呂幸, 上治寛, N. KomatsuA, W. GaoA, J. KonoA, 柳和宏

22日 J1会場 22aJ1 9:00〜12:30

領域9
電子状態
(トポロジカル物質・原子層物質)

1
Sb/Bi(111)接合界面におけるトポロジカル表面電子状態の研究
早大先進理工, 佐賀大SLセA
阿部浩子, 今村真幸A, 高橋和敏A, 高山あかり
2
立方対称性をもつ絶縁体のヒンジ電荷および分数コーナー電荷の解析
東工大理A, 東大院工B, 東工大元素戦略セC
内藤克明A, 高橋亮A, 渡辺悠樹B, 村上修一A, C
3
表面吸着によるトポロジカル絶縁体Be2Se3のキャリアドーピングの理論的な解析
千葉大院融A, 阪大院生工B, 千葉大MCRCC
樊澄A, 坂本一之A, B, C, クリューガー ピーターA, C
4
ナノスケールのチューリング・パターン:単層ビスマスの形態形成
電通大基盤理工, 北大低温研A, パリ高等物理化学学校B, スタンフォード大C
伏屋雄紀, 勝野弘康A, K. BehniaB, A. KapitulnikC
5
BiSb系におけるトポロジカルヘテロ構造の表面状態
電通大基盤理工
浅香雄哉, 菊地樹, 伏屋雄紀
6
NbドープSrTiO3上の単層FeSeの電気伝導測定
東工大理, 東工大物質A
出高志朗, 小林俊博, 田中友晃, 一ノ倉聖, 清水亮太A, 一杉太郎A, 平原徹

休憩 (10:30〜10:45)

7
水素終端SiC上のBi原子層膜の高分解能ARPES
東北大院理A, 東北大CSRNB, 東北大WPI-AIMRC, JST-PRESTOD, 東北大SRISE
八重樫健A, 川上竜平A, 加藤剛臣A, 猿田康朗A, 菅原克明A, B, C, D, 高橋隆A, B, C, 佐藤宇史A, B, C, E
8
グラフェン/CuおよびhBN/Cu表面C吸着におけるファンデルワールス力補正効果
島根大院自然, NTT物性基礎研A, 関西学院大理工B
影島博之, Shengnan WangA, 日比野浩樹B
9
高分解能ARPESによるNbTe2原子層の特異電子状態
東北大院理A, 東北大WPI-AIMRB, 東北大CSRNC, JST-PRESTOD, 東北大SRISE
菅原克明A, B, C, D, 田口大樹A, 岡博文B, 川上竜平A, 猿田康朗A, 加藤剛臣A, 中山耕輔A, D, 相馬清吾B, C, 高橋隆A, B, C, 福村知昭A, B, C, 佐藤宇史A, B, C, E
10
大面積数度ツイストグラフェンの電子状態
東大物性研, 九大院工A, 名大未来研B, 東工大総理工C, 高エネ研D
飯盛拓嗣, 今村均A, 宮町俊生B, 服部琢磨, 中辻寛C, 北村未歩D, 堀場弘司D, 間瀬一彦D, Visikovskiy AntonA, 田中悟A, 小森文夫
11
Local Effect of Surface Reconstruction on Superconducting Monolayer FeSe on SrTiO3 √13×√13
Sch. of Sci., Tokyo Tech
SI WEN, TOMOAKI TANAKA, SATORU ICHINOKURA, TORU HIRAHARA
12
単層近藤格子CePt2/Pt(111)の構造と電子状態
東大物性研A, 東工大理B, KAISTC, 名大工D, 東大生産研E
家永紘一郎A, B, 金聖憲A, C, 宮町俊生A, D, 小森文夫A, E
13
Liインターカレートした単層および多層グラフェンにおける質量のあるディラックコーン
東工大理, 分子研UVSORA, 東工大物質B
一ノ倉聖, 豊田雅之, 橋爪瑞葵, 堀井健太郎, 出田真一郎A, 田中清尚A, 清水亮太B, 一杉太郎B, 斎藤晋, 平原徹

22日 C2会場 22pC2 13:30〜17:00

領域3(8〜9番目のみ領域9と合同)
スピンカロリトロニクス,薄膜・ナノ磁性

1
Mn2-xCrxSbにおける磁気相転移を用いた単一物質ペルチェ効果の観測
東大総合文化
仲川久礼亜, 横内智行, 塩見雄毅
2
反強磁性絶縁体におけるスピンゼーベック効果の微視的理論
茨城大理
増田圭佑, 佐藤正寛
3
スピンゼーベック効果素子の高エネルギー重イオン照射耐性
原子力機構, 量研機構A, NECB, 東大物工C
岡安悟, 針井一哉A, 家田淳一, 小野正雄, 小畠雅明, 福田竜生, 吉井賢資, 石田真彦B, 齊藤英治C
4
熱スピン変換を用いた発電機構
東大理
藤本純治, 小形正男
5
Dirac電子系のSeebeck効果とスピンNernst効果
東大理
藤本純治, 小形正男
6
反強磁性体におけるマグノンの非線形スピンネルンスト効果とひずみにより調整できる純スピン流
東大理
近藤寛記, 赤城裕

休憩 (15:00〜15:15)

7
Mn系規則合金薄膜における巨大なトポロジカルホール効果の検出
物材機構
杉本聡志, 高橋有紀子, 葛西伸哉
8
3nm厚のCr(001)薄膜で観測された特異なスピンフラストレーション
大阪教育大, 名古屋大未来材料システム研A, 阪大産研B
川越毅, 宮町俊生A, 菅滋正B
9
ピラミッド構造ファセット面上の鉄ナノ薄膜の立体形状磁性
奈良先端大, 阪大産研A
Liliany N. Pamasi, Aydar Irmikimov, 阪井雄也, 清水智也, 楊浩邦, 服部梓A, 大坂藍A, 田中秀和A, 服部賢
10
PEG包含Ni-Zn ferriteナノ微粒子の熱散逸特性とNéelおよびBrown緩和現象
横国大院理工A, 横国大院環情B, 阪大院理 RCTESC
児玉慶太A, 濵田颯太A, 梨本健太朗A, 小原健太郎A, 青木孝太B, 中澤健太B, 一柳優子A, C
11
パルスレーザー照射下でのGdFeCo薄膜の磁区の時間分解測定
兵県大物質理, 東北大工A, 分子研B, JASRIC
安部弘隆, 高橋龍之介, 高橋宏和A, 山本航平B, 角田匡清A, 大河内拓雄C, 木下豊彦C, 和達大樹
12
Magneto-Thermo-Transport of Cr1+δTe¬2 Epitaxial Films
OIST
Mohamed Atwa, Matthieu Colliard, Yuita Fujisawa, Markel Pardo-Almanza, Yoshinori Okada
13
Pt-Cuナノ粒子のNMRによる研究
京大院物理, 京大院化学A
木下雄大, 奥野友則, 北川俊作, 石田憲二, 草田康平A 北川宏A

22日 J1会場 22pJ1 13:30〜16:45

領域9(7番目招待講演のみ領域5,領域8と合同)
表面界面構造物性

1
低視射角入射電子線を用いた表面極敏感カソードルミネッセンス法開発とGa2O3表面近傍欠陥の検出
奈良先端大, AISTA, 兵庫県立大B, 京大C
武田さくら, 大上丞, 加納朱杜, 加藤有香子A, 三木一司B, 山中俊朗C, 奥野健也
2
W-RHEEDによるSi(110)3×2-Bi表面構造の決定
東北大多元研A, 東北大国際放射光B
青山大晃A, 虻川匡司A, B
3
金属表面上の水素位置に敏感なRHEED回折条件
東大生研A, 電機大工B, 原研先端基礎研C
川村隆明A, B, 深谷有喜C, 福谷克之A, C
4
偏析法によるAg-Al(111)合金薄膜表面上のゲルマネンの創製
名大院工A, エクス-マルセイユ大B
松場大樹A, 荻窪剛A, 大田晃生A, 柚原淳司A, Guy Le LayB
5
STM-TERSによるヘリセン誘導体の局所構造観察
阪大工, 和歌山大シス工A
服部卓磨, 岡田将希, 鈴木凌, 大須賀秀次A, 齋藤彰, 桑原裕司
6
冷熱衝撃試験によるステンレス鋼の硬さ変化
東理大, 横浜市大A
宮澤薫一, 鈴木凌A, 橘勝A, 田中優実

休憩 (15:00〜15:15)

7
(招待講演)光電子運動量顕微鏡の拠点構築と展開
分子研UVSOR
松井文彦
8
CVD単層グラフェンのドメイン分布の解析
横国大院理工, 分子研A
青栁良英, 大野真也, 松井文彦A
9
Biをインターカレートさせたグラフェン/Bi[2012]/Cu(111)のSTM観測
東工大理, 東工大物質理工A
笠井大雅, 山上剛史, 中辻寛A, 平山博之
10
Cu(111)表面での真空加熱処理によるカーボンナノチューブのグラフェンナノリボン化
千葉大院工
山田豊和, 高原茂
11
巨大ダイポールIr(III)錯体による一次元ナノワイヤー成長
千葉大院工
山田豊和, 横田健太, 中澤芳洋, 荒本夏帆, 根本諒平, ピータークリューガー, 唐津孝

23日 J1会場 23aJ1 9:00〜12:30

領域9
表面物理化学

1
吸着分子がグラフェン担持白金単原子の安定性に与える影響
北大院工
國貞雄治, 坂口紀史
2
ヘテロダイン検出和周波発生振動分光によるPt(533)上氷薄膜の界面構造
京大院理
長塚直樹, 村谷統哉, 柴田昴, 渡邊一也
3
Pt(533)表面の水の吸着構造における水素共吸着効果
京大院理
土屋維智彦, 長塚直樹, 渡邊一也
4
顕微X線光電子分光による天然アナターゼTiO2結晶表面のエッジとテラスの光触媒活性と価電子バンド構造の相関
広島大院先進理工, 東工大理A, KEK物構研B, 産総研C, 総研大D
廣森慧太, 小澤健一A, B, 相浦義弘C, 間瀬一彦B, D, 中島伸夫
5
シュテルン-ゲルラッハ磁石を用いたスピン偏極水素原子ビームの偏極度測定
東大生研A, 原研先端基礎研B, 電大C
中津裕貴A, 島崎紘太A, 長屋勇輝A, 植田寛和B, 小倉正平C, 福谷克之A, B
6
Cu(111)モデル触媒上のCO2-メタノール転換における不安定中間体の検出
筑波大数理物質A, 産総研B
武安光太郎A, 澤樹保隆A, 今林拓海A, 近藤剛弘A, 藤谷忠宏B, 中村潤児A

休憩 (10:30〜10:45)

7
A Theoretical Comparison of Potential Energy for Hydrogen Diffusion Through Three-layered Pd-111 and Five-layered Pd-111
Osaka Univ.A, Nat’l. Inst. of Tech., Akashi Col.B
Jeffrey TANUDJIA, Hideaki KASAIB
8
ZrO2上のPdクラスターの電子状態
高輝度セ
中田謙吾, 本間徹生
9
Pd中水素のT-Oサイト間量子拡散における非断熱効果
東大生研A, 筑波大数理B, 原子力機構先端研C
小澤孝拓A, 杉澤悠紀B, 岸奈津子B, 関場大一郎B, 福谷克之A, C
10
Si(111)上の(Mg, In)表面合金の電子状態
京大院理
寺川成海, 八田振一郎, 奥山弘, 有賀哲也
11
Si及びGe(001)表面ダイマーのフリップフロップ運動の原子レベルメカニズム
九大院総理工, 阪大QIQBA
塩田知弥, 栃原浩, 水上渉A, 折本裕一, 青木百合子
12
水素化LaNiO3の金属絶縁体転移
東大生研A, 大阪大産研B, 原研先端基礎研C
松澤郁也A, 西谷侑将A, 小澤孝拓A, Umar SidikB, 服部梓B, 田中秀和B, 福谷克之A, C
13
ダブルペロブスカイトBa2PrBiO6表面における水分子の反応性:第一原理計算
岩手大理工, 物材機構, Fac. of Sci. and Eng. Iwate Univ., NIMSA
西館数芽, 松川倫明, 谷口晴香, 松下明行A, 長谷川正之
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