日本物理学会講演概要集第76巻第2号

1: らせん型境界条件と偏極演算子を用いた2次元トポロジカル絶縁体の解析; 愛媛大理^A, IFW Dresden^B, TU Dresden^C; 中村正明^A, 益田奨平^A, 西本理^{B, C}
2: ひねり二層Bi₂Te₃/Bi₂Se₃系のトポロジカル物性; 理研CEMS^A, 東大工^B; 立石幾真^A, 平山元昭^{B, A}
3: トポロジカル絶縁体/強磁性金属薄膜ヘテロ接合構造における量子異常Hall効果; 東北大理, 東北大金研^A, 東北大CSRN^B; 有本勝洋, 是常隆, 野村健太郎^{A, B}
4: ヘリカル表面状態による量子化されたスピントルクの線形応答理論; 東北大金研^A, 東北大CSRM^B; 橋本光^A, 野村健太郎^{A, B}
5: 空間反転対称性がない場合のZ2トポロジカル相転移の理論; 東工大理^A, 東工大元素戦略研究セ^B; 佐々木蓮^A, 村上修一^{A, B}
6: 電子流体の渦度が引き起こす異常Hall効果; 理研CPR^A, 京大理^B, 理研CEMS^C; 舟木博志^A, 兎子尾理貴^B, 多々良源^{A, C}

7: スピン軌道結合を持たない回転対称性に保護された脆いトポロジカル絶縁体; 理研CEMS^A, 理研^B; 小林伸吾^A, 古崎昭^{A, B}
8: スペクトラルバルク端対応の一般化; 名大工, 埼玉大理^A; 田村駿, 星野晋太郎^A, 田仲由喜夫
^●9: Relations between topology and the quantum metric for Chern insulators; AIMR Tohoku Univ., Univ. de Lisboa^A; Tomoki Ozawa, Bruno Mera^A
^●10: Relativistic topological molecular crystals; Dept. of Applied Phys., the Univ. of Tokyo, RIKEN Center for Emergent Matter Sci.^A; Tonghua Yu, Motoaki Hirayama^A, Ryotaro Arita^A
11: 周期ポテンシャル下のRice-Mele模型の‘空間的な’トポロジカルポンプ; 茨大理工; 浅賀孝一, 福井隆裕
12: 2次元フォトニック結晶の連続変形によるトポロジカル局在状態の生成：理論的検討とマイクロストリップ線路による実装方法の検討; 阪大基; 松平淳哉, 真田篤志, 中田陽介

1: （共催シンポジウム講演）はじめに; 東大・物性研; 徳永将史
2: （共催シンポジウム講演）物性研1000テスラ超強磁場共用実験への新展開; 東大・物性研; 池田暁彦
3: （共催シンポジウム講演）ロングパルスを利用した物性研究の現状とこれからの展望; 東大・物性研; 小濱芳允
4: （共催シンポジウム講演）パルス強磁場電子スピン共鳴によるスピン多極子の観測; 神戸大・分子フォトセ; 赤木暢

5: （共催シンポジウム講演）三次元ベクトル強磁場を用いた対称性の破れた電子状態の研究; 東北大・金研; 木俣基
6: （共催シンポジウム講演）スピン系の新物質開発と強磁場物性; 北大・院理; 吉田紘行
7: （共催シンポジウム講演）欧州強磁場施設の現状と今後; ドレスデン強磁場研究所; 宮田敦彦
8: （共催シンポジウム講演）おわりに; 東北大・金研; 木村尚次郎

1: （チュートリアル講演）非可換エニオンを用いたトポロジカル量子計算入門; 名古屋大院情報学研究科; 加藤晃太郎
2: 時間反転対称なトポロジカル超伝導体におけるマヨラナ量子ビット操作とその耐性; 阪大基礎工; 田中祐貴, 三野巧, 水島健, 藤本聡
3: トポロジカル超伝導体を用いたSNS接合系における分数ジョセフソン効果の増強; 理研; 角田峻太郎, 古崎昭
4: スピン偏極した量子異常ホール系におけるジョセフソン電流のペア対称性; 東北大金研, 名大工^A; 仲井良太, 野村健太郎, 田仲由喜夫^A

5: 超伝導近接効果の理論におけるグリーン関数の境界条件; 名大工; Yukio Tanaka
6: d+ip波超伝導体接合における超伝導対称性の理論; 名大工; 田仲由喜夫, 高畠優飛, 鈴木修
7: 対称性の表現に基づく超伝導ノード構造の分類手法--適合関係と点ノード分類の統合---; 東大工, 京大基研^A; 小野清志郎, 塩崎謙^A
8: トポロジカル結晶超伝導体におけるマヨラナクラマース対の歪みに対する応答; 名大理, 理研CEMS^A; 山崎勇樹, 小林伸吾^A, 山影相
9: カイラル超伝導におけるカイラル揺らぎが誘起する異常音響ガルバニック効果; 阪大院基礎工, ルイジアナ州立大学^A; 松下太樹, 水島健, Ilya Vekhter^A, 藤本聡

^●1: （一般シンポジウム講演）Opening remarks; IMaSS, Nagoya Univ.; Toshio Miyamachi
^●2: （一般シンポジウム講演）Ultrafast carrier dynamics in dichalcogenides; National Synchrotron Radiation Research Center; Ro-Ya Liu
^●3: （一般シンポジウム講演）ARPES study of novel topological materials and hybrids; Dept. Phys., Tohoku Univ.; Kosuke Nakayama
^●4: （一般シンポジウム講演）Origin of surface-interface phenomena towards efficient terahertz device development by first-principles simulations; Research Center for Development of Far-Infrared Region, University of Fukui (FIR-UF); Mary Clare Escaño
^●5: （一般シンポジウム講演）Role of pyridinic nitrogen as an active site of carbon catalysts; Univ. Tsukuba; Kotaro Takeyasu

^●6: （一般シンポジウム講演）Novel function and its mechanism realized at the graphene/substrate interface; Nagoya Univ.; Wataru Norimatsu
^●7: （一般シンポジウム講演）Multiscale analyses of interfaces and phase equilibria in magnetic materials; Dept. Mater. Sci. Eng., Tokyo Tech; Yoshihiro Gohda
^●8: （一般シンポジウム講演）Induced effects by introducing ferromagnetism into topological insulators; Univ. of Tokyo; Ryota Akiyama
^●9: （一般シンポジウム講演）Spin-charge currents interconversion using interfaces; ISSP, Univ. of Tokyo; Hironari Isshiki

1: CaFeAsFのSdH周波数のトポロジカルシフト; 物材機構, SIMIT^A; 寺嶋太一, 宇治進也, Teng Wang^A, Gang Mu^A
2: ワイル反強磁性物質Mn₃Snの中低温における異常ホール効果; 名大工, 名大未来研^A, トヨタ自動車^B; 木原俊哉, 矢野力三^A, 片山尚幸, 須藤裕之^B, 柏谷聡
3: 不純物ドープしたMn₃Snにおける異常ホール効果; 名大工, 名大未来研^A, トヨタ自動車^B; 壁谷汰知, 木原俊哉, 矢野力三^A, 須藤裕之^B, 柏谷聡
4: 磁性ワイル半金属EuCd₂Sb₂の薄膜化と巨大異常ホール効果の観測; 東大工^A, 東工大理^B, 理研CEMS^C, JSTさきがけ^D; 大野瑞貴^{A, B}, 中澤佑介^A, 佐藤慎^A, Markus Kriener^C, 田口康二郎^C, 川﨑雅司^{A, C}, 打田正輝^{B, D}
5: Hourglass Dirac chain metal物質β-ReO₂の特異な輸送特性; 東大物性研, 物材機構^A, 阪大CSRN^B, 阪大産研^C; 平井大悟郎, 安倍崇仁, 宇治進也^A, 小口多美夫^{B, C}, 広井善二
6: 量子振動によるHourglass Dirac chain metal物質 β-ReO₂の電子構造の解明; 東大物性研, 物材機構^A, 阪大CSRN^B, 阪大産研^C; 安倍崇仁, 平井大悟郎, 石川孟, 金道浩一, 寺嶋太一^A, 宇治進也^A, 小口多美夫^{B, C}, 広井善二

7: (Sn,Pn,In)Te薄膜におけるトポロジカル電子相の探索; 理研CEMS, 東大工^A, 東北大金研^B, 東大東京カレッジ^C; 吉見龍太郎, 増子真^A, 小川直毅, 川村稔, 塚﨑敦^B, 高橋圭, 川﨑雅司^A, 十倉好紀^{A, B}
8: ワイル半金属候補物質SrSi₂の合成と物性測定; 物材機構, 茨城大^A; 今井基晴, Babak Alinejad^A, 鵜殿治彦^A
9: 量子極限下におけるBiのサイクロトロン共鳴 II; 物材機構, 電通大情理^A, 東大物性研^B; 竹端寛治, 今中康貴, 山田暉馨^A, 伏屋雄紀^A, 木下雄斗^B, 徳永将史^B
10: Bi薄膜における超強磁場サイクロトロン共鳴; 物材機構, 東大物性研^A, 東大理^B; 今中康貴, Yang Zhuo^A, 谷内息吹^B, 秋山了太^B, 長谷川修司^B, 小濱芳允^A, 松田康弘^A
11: トポロジカルディラック半金属Cd₃As₂ナノワイヤにおける表面量子振動の観測; 東大工^A, 東大総合文化^B, 東大生研^C, 東北大金研^D; 宮崎優^A, 横内智行^B, 柴田基洋^C, ヤオチェン^D, 有沢洋希^D, 溝口照康^C, 齊藤英治^{A, D}, 塩見雄毅^{A, B}
12: カイラル結晶α-RhSn₄の異方的な電子輸送特性; 都立大院理; 矢沼彩乃, 中村直貴, 東中隆二, 松田達磨, 青木勇二
13: 反強磁性トポロジカル半金属NdBiのマイクロARPES; 東北大院理^A, 東北大CSRN^B, 東北大WPI-AIMR^C, ケルン大^D, 高エ研物構研^E, 量研機構^F, 東北大多元研^G, ダイヤモンド放射光施設^H, 東北大SRIS^I; 本間飛鳥^A, 高根大地^A, 相馬清吾^{B, C}, Yongjiang Wang^D, 中山耕輔^A, 北村未歩^E, 堀場弘司^F, 組頭広志^G, T. Kim^H, C. Cacho^H, 安藤陽一^D, 佐藤宇史^{A, B, C, I}

1: LR非対称のある量子ドットの近藤効果による電流揺らぎ; 東大物性研, 大阪市大^A, 大阪市大NITEP^B; 阪野塁, 堤和彦^A, 寺谷義道^{A, B}, 小栗章^{A, B}
2: SU(N)量子ドット系の非線形電流に対するトンネル結合の非対称性の効果; 大阪市大理^A, 大阪市大NITEP^B, 東大物性研^C; 堤和彦^A, 寺谷義道^{A, B}, 阪野塁^C, 小栗章^{A, B}
3: N重に縮退した局在準位を持つ量子ドットの非平衡輸送に表れる3体非線形相関：1/(N-1)展開と数値くりこみ群による解析; 大阪市大理^A, 大阪市大NITEP^B, 東大物性研^C; 寺谷義道^{A, B}, 小栗章^{A, B}, 阪野塁^C
4: 連続時間測定下での近藤効果; 慶應理工, 東大理^A; 長谷川雅大, 齊藤圭司, 中川大也^A
5: 多重量子ドット系における非局所Andreev散乱：Fermi流体論による研究; 大阪市大理^A, 大阪市大NITEP^B, NTT物性基礎研^C, 先端力学シミュレーション研究所^D; 橋本将史^A, 寺谷義道^{A, B}, 小栗章^{A, B}, 山田康博^C, 田中洋一^D
6: 断熱条件近傍の非マルコフ的ポンプ流の特性; 筑波大数理物質; 都倉康弘

7: 深層学習手法を用いた量子ドット内電子スピン状態の高精度検出; 阪大産研, ルール大ボーフム^A; 松本雄太, 藤田高史, Arne Ludwig^A, Andreas D. Wieck^A, 大岩顕
8: シリコンスピン量子ビットの位相コヒーレント輸送; ニューサウスウェールズ大^A, 東工大^B, 慶応大^C, シドニー大^D; 米田淳^{A, B}, W. Huang^A, M. Feng^A, C. H. Yang^A, K. W. Chan^A, T. Tanttu^A, W. Gilbert^A, R. C. C. Leon^A, F. E. Hudson^A, 伊藤公平^C, A. Morello^A, S. D. Bartlett^D, A. Laucht^A, A. Saraiva^A, A. S. Dzurak^A
9: GaN FETにおけるマイクロ波依存伝導の観測; 東北大通研, ローム^A; 阿部峰也, 篠崎基矢, 相澤拓海, 熊坂武志, 伊藤範和^A, 田中岳利^A, 中原健^A, 大塚朋廣
10: 表面プラズモンアンテナを有する横型量子ドットにおける単一光生成電子検出; 阪大産研, ルール大ボーフム^A; 深井利央, 酒井裕司, 藤田高史, 木山治樹, Arne Ludwig^A, Andreas Dirk Wieck^A, 大岩顕
11: GaAs横型量子ドット・テラヘルツ共振器結合系の磁気分光; 東大生研, 東大ナノ量子機構^A; 黒山和幸, 權晋寛^A, 荒川泰彦^A, 平川一彦^{, A}

1: （チュートリアル講演）量子位相が駆動する光電流：シフト電流の基礎と応用可能性; 理研CEMS; 小川直毅
2: カゴメ格子磁性体TbMn₆Sn₆における質量ディラック電子に由来した磁気光学応答; 東大工^A, 理研CEMS^B, 東大東京カレッジ^C; 正力健太郎^A, 岡村嘉大^A, 藤代有絵子^B, 北折曉^A, 金澤直也^A, 十倉好紀^{A, B, C}, 高橋陽太郎^{A, B}
3: 円偏光励起によるBi薄膜からのテラヘルツ波放射の温度依存性; 東大理^A, 東大低温セ^B; 平井誉主在^A, 吉川尚孝^A, 廣瀬葉菜^A, 河口真志^A, 林将光^A, 島野亮^{A, B}
4: 3次元ディラック半金属Cd₃As₂薄膜のマルチテラヘルツ光励起コヒーレント過渡応答; 東大物性研^A, JSTさきがけ^B, カリフォルニア大サンタバーバラ校^C; 神田夏輝^{A, B}, 室谷悠太^A, 池田達彦^A, 松田拓也^A, 吉信淳^A, 小林洋平^A, Susanne Stemmer^C, 松永隆佑^{A, B}

5: ワイル半金属WTe2における光誘起相の励起波長・偏光依存性; 京大院理^A, 京大iCeMS^B; 青木涼太^A, 内田健人^A, 田中耕一郎^{A, B}
^●6: Temperature-dependent magnetic properties of ferromagnetic topological insulators (CrxSb1-x)2Te3 studied by XMCD; Dept. Physics, Tohoku Univ.^A, NSRRC^B, CIES, Tohoku Univ.^C, CSRN, Tohoku Univ.^D, WPI-AIMR, Tohoku Univ.^E, and SRIS, Tohoku Univ.^F; C. W. Chuang^{A, B}, Y. Nakata^A, F. H. Chang^B, H. J. Lin^B, C. T. Chen^B, S. Gupta^C, F. Matsukura^{C, D, E}, S. Souma^{D, E}, T. Sato^{A, D, E, F}, and A. Chainani^B
7: 高繰り返し 1-MHz 遠紫外 10.7-eV レーザーを取り入れた時間・スピン・角度分解光電子分光装置の開発; 東大物性研, IBS-CCES^A, 物材機構^B, 東大特別教授室^C; 黒田健太, 川口海周, 福島優斗, 趙智剛, 谷峻太郎, 田中宏明, 原沢あゆみ, 飯盛拓嗣, 野口亮^A, 矢治光一郎^B, 藤澤正美, 辛埴^C, 小森文夫, 小林洋平, 近藤猛
8: 時間・スピン・角度分解光電子分光装置におけるソフトウェア開発：デジタル化・オンライン化に向けた取り組み; 東大物性研; 田中宏明, 川口海周, 福島優斗, 黒田健太, 原沢あゆみ, 飯盛拓嗣, 近藤猛
9: 時間・スピン・角度分解光電子分光によるスピン偏極電子状態の光励起ダイナミクスの観測; 東大物性研, ノヴォシビルスク大^A, 広大院先進理^B, 物材機構^C, 東大特別教授室^D; 川口海周, 福島優斗, 黒田健太, 田中宏明, 原沢あゆみ, 飯盛拓嗣, 趙智剛, 谷峻太郎, K. A. Kokh^A, O. E. Tereshchenko^A, 木村昭夫^B, 矢治光一郎^C, 辛埴^D, 小森文夫, 小林洋平, 近藤猛
10: Bi(111)劈開表面のマイクロARPES; 東北大院理^A, JSTさきがけ^B, 東北大WPI-AIMR^C, 東北大CSRN^D, 高エ研物構研^E, 量研機構^F, 東北大多元研^G, 京産大物理^H, 東北大SRIS^I; 守谷歩美^A, 徳山敦也^A, 川上竜平^A, 中山耕輔^{A, B}, 相馬清吾^{A, C, D}, 北村未歩^E, 堀場弘司^F, 組頭広志^G, 高橋隆^{A, C, D}, 瀬川耕司^H, 佐藤宇史^{A, C, D, I}

1: 線ノード型ディラック半金属CaSb₂の単結晶育成と超伝導特性; 東工大フロンティア研; 和田智也, 深井悠太郎, 笹川崇男
2: 磁性トポロジカル絶縁体接合における近接効果の磁気トラップを利用した制御; 名大未来研, 名大工^A, 東工大フロンティア研^B, モスクワ工科大^C, 産総研^D; 矢野力三, 津村公平^A, 廣瀬陽代^B, Stolyarov Vasily^C, 柏谷裕美^D, 田仲由喜夫^A, 笹川崇男^B, 柏谷聡^A
3: ノーダルライン半金属超伝導体NaAlSiの磁場侵入長測定; 東大新領域, 東北大多元研^A, 東大物性研^B; 小林雅之, 石原滉大, 六本木雅生, 水上雄太, 山田高広^A, 平井大悟郎^B, 山根久典^A, 広井善二^B, 橋本顕一郎, 芝内孝禎
4: 不純物置換したNaAlSi単結晶の合成と超伝導特性評価; 東北大多元研, 東大物性研^A; 山田高広, 平井大悟郎^A, 池野辺寿弥^A, 山根久典, 広井善二^A
5: ノーダルライン半金属超伝導体NaAlSiの輸送特性; 東大物性研, 東北大多元研^A; 池野辺寿弥, 平井大悟郎, 山田高広^A, 山根久典^A, 広井善二
6: STMによるラインノード半金属NaAlSiの超伝導状態測定; 東大物性研, 東北大多元研^A; 土師将裕, 佐藤優大, 山田高広^A, 山根久典^A, 平井大悟郎, 広井善二, 長谷川幸雄

7: 超伝導を示すワイル半金属1T-MoTe₂の高圧下NMRによる研究; Max Plank Inst., 兵庫県立大物質理^A, Brookhaven Nat'l. Lab.^B; 藤井拓斗^A, 安岡弘志^A, R. K. Ranjith^A, M. O. Ajeesh^A, D. Kashinathan^A, M. Schmidt^A, 水戸毅^B, C. Petrovic^C, M. Nicklas^A, C. Felser^A, A. Mackenzie^A and M. Baenitz^A
8: 新規カゴメ超伝導体CsV₃Sb₅の高分解能ARPES; 東北大院理^A, JSTさきがけ^B, 北京理工大^C, 東北大CSRN^D, 東北大WPI-AIMR^E, 東北大SRIS^F; 中山耕輔^{A, B}, Y. Li^C, M. Liu^C, Z. Wang^C, 高橋隆^{A, D, E}, Y. Yao^C, 佐藤宇史^{A, D, E, F}
9: キャリアドーピングによるCsV₃Sb₅のCDW制御：高分解能ARPES; 東北大院理^A, JSTさきがけ^B, 北京理工大^C, 東北大CSRN^D, 東北大WPI-AIMR^E, 東北大SRIS^F; 中山耕輔^{A, B}, Y. Li^C, M. Liu^C, Z. Wang^C, 高橋隆^{A, D, E}, Y. Yao^C, 佐藤宇史^{A, D, E, F}
10: Fiber-Bragg gratingを用いたBi₂Se₃系ネマティック超伝導体の自発ひずみの探索; 京大院理, ケルン大学^A; 谷口諒, 荒木遼, ^○米澤進吾, Z. Wang^A, 安藤陽一^A, 前野悦輝
11: カイラル化合物IrGe₄の低温物性測定と超伝導特性; 都立大院理; 中村直貴, 大村瑠美, 千葉優馬, 東中隆二, 青木勇二, 松田達磨

1: タイトバインディング計算によるプランベンのエッジ状態; 早大先進理工; 林元輝, 溝川貴司
2: 3軌道NCS-NCS接合における異軌道間トポロジカル超伝導によるJosephson電流の理論; CNR-SPIN, Univ. of Salerno, 名大工^A; 深谷優梨, 矢田圭司^A, 田仲由喜夫^A, Paola Gentile, Mario Cuoco
3: 原子層物質BiI₃の光学応答の層数依存性に関する理論的研究; 京都先端; 羽部哲朗, 中村康一
4: 原子層物質における磁気回転効果; 中国科学院大学Kavli-ITS, Imperial Col. London^A; 大湊友也, 大上能悟^A, 松尾衛
5: 同種のIV族原子層から成るツイスト積層構造における層間スピン流; 北大院工^A, 横河電機^B; 北川雄真^{A, B}, 鈴木雄太^{A, B}, 手塚信一郎^B, 明楽浩史^A
6: モアレ超構造における電子間相互作用による電気抵抗の増大; 東工大理, MIT物理^A; 石塚大晃, L. Levitov^A
7: スピン軌道結合格子における弱反局在：非断熱遷移の効果とスピン緩和長の評価; 物材機構ESICMM; 早坂太志

8: ツイスト二層/二層WTe2における電子状態の観測; 東大工^A, 東大生産研^B, 東工大フロンティア研^C, 理研CEMS^D, 物材機構^E, CREST-JST^F; 坂野昌人^A, 田中佑磨^A, 増渕覚^B, 岡崎尚太^C, 野本拓也^A, 山本崇人^A, 渡邊賢司^E, 谷口尚^E, 有田亮太郎^{A, D}, 笹川崇男^C, 町田友樹^{B, F}, 石坂香子^{A, D}
9: R型二層遷移金属ダイカルコゲナイドにおける界面強誘電性; マサチューセッツ工科大学, コロンビア大学^A, 物材機構^B; 安田憲司, Xirui Wang, Yang Zhang, Song Liu^A, 渡邊賢司^B, 谷口尚^B, James Hone^A, Liang Fu, Pablo Jarillo-Herrero
10: ミスフィット層状カルコゲナイドにおける非周期電子超構造; 理研CEMS, 岡山大物理^A, 岡山大基礎研^B; 幸坂祐生, 白田雅治^A, 上野哲平^A, 町田理, 花栗哲郎, 小林夏野^{A, B}

1: FeTe_0.6Se_0.4薄膜素子の磁束ピン留め機構の評価; 阪大理^A, 阪大CSRN^B; 中村瞭弥^A, 渡邉杜^A, 徳田将志^A, 前田将輝^A, 中島正道^A, 新見康洋^{A, B}
2: Bi/Ni薄膜におけるLittle-Parks振動の観測; 阪大理^A, 復旦大学物理系^B, 阪大基礎工^C, 東大知の物理学研究センター^D, 阪大CSRN^E; 徳田将志^A, 中尾舞^A, 渡邉杜^A, 中村瞭弥^A, 前田将輝^A, Sanghyun Lee^A, Yue Di^B, 青山和司^A, 水島健^C, Jin Xiao-Feng^B, 小林研介^D, 新見康洋^{A, E}
3: AgCrSe2 単結晶における異常な磁気輸送特性; 名大工^A, 名大IMaSS^B, 東工大フロンティア研^C; 後藤大望^A, 矢野力三^B, 笹川崇男^C, 柏谷聡^A
4: Te(0001)のマイクロARPES; 東北大院理^A, JSTさきがけ^B, 京大学際センター^C, 東北大WPI-AIMR^D, 東北大CSRN^E, 高エ研物構研^F, 量研機構^G, 東北大多元研^H, 阪大産研^I, 京産大物理^J, 東北大SRIS^K; 徳山敦也^A, 中山耕輔^{A, B}, 守谷歩美^A, 山内邦彦^C, 菅原克明^{A, B, D, E}, 北村未歩^F, 堀場弘司^G, 組頭広志^H, 高橋隆^{A, D, E}, 小口多美夫^I, 瀬川耕司^J, 佐藤宇史^{A, D, E, K}
5: 熱電物性の磁場依存性から見たトポロジカル絶縁体表面の輸送特性; 東北大AIMR, 東北大院理^A, BAQIS^B; 松下ステファン悠, 永田一将^A, Kim Khuong Huynh, 谷垣勝己^B
^●6: Electronic structure of α-EuP₃ revealed by angle-resolved photoemission spectroscopy; 東大物性研, 東大工^A, 阪大基礎工^B, SLAC^C, JASRI^D; 万宇軒, 黒田健太, Cédric Bareille, 石田行章, メイヨーアレックス浩^{A, B}, 高橋英史^B, Mohammad Saeed Bahramy^A, Chun Lin, 新井陽介, 田中宏明, Yuyang Dong, Makoto Hashimoto^C, Donghui Lu^C, 室隆桂之^D, 石渡晋太郎^B, 近藤猛

7: 内因的磁性トポロジカル絶縁体Mn(Bi,Sb)2Te4薄膜のフェルミ準位制御と異常ホール効果; 東大工, 理研CEMS^A, 東北大金研^B; 渡邊竜太, 吉見龍太郎^A, 川村稔^A, 金子良夫^A, 塚﨑敦^B, 高橋圭^A, 川﨑雅司^A, 十倉好紀^A
8: Pb(Bi,Sb)₂(Te,Se)₄トポロジカル絶縁体のバルク伝導特性; 東大生研; 徳本有紀, 杉本恭一, 枝川圭一
9: 磁性ドープ三次元トポロジカル絶縁体Fe-BiSbTe₂Seの表面輸送特性; 名大工^A, 名大未来研^B, 東工大フロンティア研^C; 反田剛^A, 矢野力三^B, 廣瀬陽代^C, 笹川崇男^C, 柏谷聡^A
10: パルス強磁場を用いた量子極限下Bi-Sb混晶における電子状態の研究; 東大物性研; 木下雄斗, 藤田琢也, 栗原綾佑, 三宅厚志, 徳永将史

1: 単層NbSe₂のスピン依存光学的伝導度に関する理論研究; 関学理工; 羽原廉, 若林克法
2: フェナレニル充填型分子に基づくナノグラフェン構造における有効量子多体模型; 阪大院基礎工^A, 兵庫県大院理^B; 森下直樹^A, 草部浩一^{A, B}
3: 非整合ヘテロ二層系の層間結合と対称性; NIMS-MANA; 苅宿俊風
^●4: 1D flat mini-bands in bilayer graphene in a periodic array of potential wells; Univ. of Leicester^A, Univ. of Tokyo^B, AIST^C; P. Maksym^{A, B}, H. Aoki^{B, C}
5: ひねり二層グラフェンの電子ネマティック揺らぎによるフォノンへの影響; 京大理^A, Inst. for Theoretical Phys., ETH Zurich^B; 木村和博^A, Manfred Sigrist^B, 川上則雄^A
6: 第一原理計算に基づくグラフェンブリスターの伝導特性評価; 神大工; 西浦匡紀, 植本光治, 小野倫也

7: ポリアセンにおける磁気秩序とトポロジカル磁壁局在状態; 阪大院理; 川上拓人, 玉置弦, 越野幹人
8: 第一原理計算によるポリアセンの磁気構造の研究; 阪大院理; 玉置弦, 川上拓人, 越野幹人
9: 量子極限におけるディラック電子の磁化; 電通大基盤理工; 河村省吾, 伏屋雄紀
10: ディラック・ワイル系の非摂動的トンネル現象における非断熱幾何学的効果; 甲南大理工, 上海交通大^A, 東大物性研^B; 高吉慎太郎, Jianda Wu^A, 岡隆史^B
11: 二周期外場に駆動された系における分極制御の理論; 東大工; 池田侑哉, 北村想太, 森本高裕
12: 第4族遷移金属ダイカルコゲナイドの電気伝導特性に対するドーピングの影響; 成蹊大理工; 相良俊洋, 富谷光良, 坂本昇一

1: ZnOにおけるフォノンと相互作用した励起子の時間分解発光研究; 阪大工^A, 東大物性研^B, 東北大SRIS^C, 東北大多元研^D, 阪大レーザー研^E, 東工大理^F; 湯川龍^{A, B}, 山本達^{B, C, D}, 有田廉^E, 南佑輝^E, 山ノ井航平^E, 小澤健一^F, 坂本一之^A, 清水俊彦^E, 猿倉信彦^E, 松田巌^B
2: イオンゲルにより電気化学ドープした単層グラフェンの超高速時間分解発光; 名大院工^A, 九大GIC^B; 犬飼大樹^A, 小山剛史^A, 河原憲治^B, 吾郷浩樹^B, 岸田英夫^A
3: 単層MoS₂のフェムト秒時間分解発光分光; 名大院工^A, 産総研^B, 名大院理^C; 斉藤健輔^A, 岡田光博^B, 北浦良^C, 岸田英夫^A, ^○小山剛史^A
4: スピン敏感フェムト秒蛍光励起相関分光; 東大駒場; 安武裕輔, 深津晋
5: GaAs/AlAs多重量子井戸における励起子共鳴励起条件下での光変調反射信号; 神戸大院工, グラスゴー大^A; 小島磨, Richard Hogg^A
6: 高効率太陽電池開発を目指した可視超短パルスレーザー過渡光電流分光法の開発; 阪大IRS, 東理大理^A, 電通大^B; 寺本高啓, 徳永英司^A, 小林孝嘉^B

7: （招待講演）原子層半導体・ヘテロ構造の光科学とその展開; 京都大学エネルギー理工学研究所; 松田一成
8: CuCl量子ドットからの単一超蛍光パルスの偏光測定Ⅱ; 東理大院理, 山梨大工^A; 千葉涼太郎, 石原淳, 宮島顕祐, 石川陽^A
9: CuCl半導体微小共振器における角度分解透過スペクトルの複素スペクトル解析; 阪府大院理; 横山大樹, 西田拓哉, 大畠悟郎, 田中智, ^○溝口幸司
10: ダイヤモンドの発光スペクトル解析による励起子重心質量の評価; 京大院理, ハッセルト大IMO^A; 戸田倫太朗, 小西一貴, D. E. P. Vanpoucke^A, 中暢子
11: WSe2/MoSe2ヘテロ二層の発光スペクトルの強度依存性; 京大エネ研; 篠北啓介, 宮内雄平, 松田一成
12: Exciton self-trapping and broad photoemission of Bi based zero-dimensional perovskites; 横国大理工; べソンミン^A, レービガーハンネス^A

1: グラフェン上吸着リンカー分子の理論的構造解析; 阪大院基礎工, 兵県大院理; 大石泰弘, 草部浩一
2: DFTによる応力下のAu₂S単層の構造・物性の解析; 東大物性研; 福田将大, 尾崎泰助
3: 周期的欠陥のある半導体グラフェンを用いた積層系の設計と電子物性研究; 東工大理; 田口裕太, 斎藤晋
4: 2次元金属炭素同素体の物質設計; 筑波大数理; 岡田晋, グエンタンクン, 丸山実那, 高燕林
5: コラニュレン分子と二層グラフェンからなる複合系の構造と電子状態; 筑波大数理; 丸山実那, 岡田晋

6: グラフェン界面の電気二重層における幾何キャパシタンス; 岡山大基礎研; Lei Zhi, ^○後藤秀徳, 三浦明香里, 江口律子, 久保園芳博
7: 水素プラズマエッチングで作製したグラフェンジグザグ端の終端状態; アンリツ先端研, 東大物性研^A; 越智太亮, 鎌田雅博, 横澤峻元, 向井考三^A, 吉信淳^A, 松井朋裕
8: 人工積層によって界面を導入したグラファイトの作製と輸送特性評価; 東大物性研; 田縁俊光, 長田俊人
9: 平行アームチェアナノチューブ側面接合によるバレー流のフィルタリングと反転; 静大工; 田村了
10: 単層カーボンナノチューブ薄膜におけるホール効果; 都立大理, Rice Univ.^A; 蓬田陽平, 堀内加奈子, 岡田遼太朗, 河合英輝, 一ノ瀬遥太, 西留比呂幸, 上治寛, N. Komatsu^A, W. Gao^A, J. Kono^A, 柳和宏

1: 価電子帯内サブバンド間相互作用と正孔Berry位相の非可換性; 早大理工; 東条樹, 武田京三郎
2: 二重量子井戸における電流誘起スピン偏極によるスピン流生成; 北大院工^A, 横河電機^B; 鈴木雄太^{A, B}, 北川雄真^{A, B}, 手塚信一郎^B, 明楽浩史^A
3: Ⅴ族原子層における電流誘起スピン偏極; 北大工; 氏家勇, 明楽浩史
4: FePd/Graphene(001)の第一原理計算による電子状態計算; 神戸大工, 東北大CIES・工・CSRN・CSIS^A; 安達隼人, 植本光治, 永沼博^A, 小野倫也
5: InGaAs 2次元電子ガス2層系のスピンバルブ伝導; 大阪工大, 北陸先端大^A; 山田省二, 藤元章, 赤堀誠志^A
6: GaN/AlGaN 2次元電子ガスの低磁場スピン分裂; 大阪工大, パウデック^A, 京都大^B, 物材機構^C; 山田省二, 藤元章, 八木修一^A, 成井啓修^A, 山口栄一^B, 今中康貴^C
7: (111)全配向NV中心による三次元磁場イメージング; 東大理^A, 東工大^B; 塚本萌太^A, 小河健介^A, 小澤勇人^B, 岩崎孝之^B, 波多野睦子^B, 佐々木健人^A, 小林研介^A

8: MoS₂/黒リン界面におけるバルク光起電力効果の観測; 東大院工^A, 理研^B; 山本孝^A, Yu Dong^A, 吉井真央^A, 渡邉伊吹^A, 北村想太^A, 中川裕治^A, 森本高裕^A, 井手上敏也^A, 岩佐義宏^{A, B}
^●9: Second harmonic generation in twisted WSe2/black phosphorus interface; QPEC & Dept. of Appl. Phys., Univ. of Tokyo^A, RIKEN CEMS^B; Yu Dong^A, Mao Yoshii^A, Sota Kitamura^A, Shingo Toyoda^B, Yuji Nakagawa^A, Takahiro Morimoto^A, Naoki Ogawa^B, Toshiya Ideue^A, Yoshihiro Iwasa^{A, B}
10: ファン・デル・ワールスヘテロ接合系での二次高調波発生の理論; 東大院工^A, 理研CEMS^B; 吉井真央^A, Yu Dong^A, 北村想太^A, 豊田新悟^B, 中川裕治^A, 森本高裕^A, 小川直毅^B, 井手上敏也^A, 岩佐義宏^{A, B}
11: 移　　動
12: 加速運動する電子によるコンダクタンスの量子化; 兵庫医大物理; 寺澤大樹

1: Twisted Double Bilayer Grapheneの電子構造と遮蔽効果; 広島大院先進理工, 物材機構^A; 向井文哉, 堀井幸多, 秦なずな, 戎岡亮哉, 渡邊賢司^A, 谷口尚^A, 八木隆多
2: 3回対称超伝導体PbTaSe₂における非線形異常ホール効果; 東大院工, 埼玉大理^A, 東工大フロンティア研^B, 理研^C; 板橋勇輝, 井手上敏也, 星野晋太郎^A, 後藤千裕, 並木宏允^B, 笹川崇男^B, 岩佐義宏^C
3: NbSe₃薄膜における電荷密度波転移の膜厚依存性; 阪大理^A, 東大理^B, 阪大CSRN^C; 藤原浩司^A, 岩切秀一^A, 中村瞭弥^A, 横井雅彦^A, 渡邉杜^A, 小林研介^{A, B}, 新見康洋^{A, C}
4: 原子層VS₂の電子状態：マイクロARPES; 東北大院理^A, 東北大CSRN^B, 東北大WPI-AIMR^C, JST-PRESTO^D, 高エ研物構研^E, 量研機構^F, 東北大多元研^G, 東北大SRIS^H; 川上竜平^A, 加藤剛臣^A, 猿田康朗^A, 中山耕輔^{A, D}, 菅原克明^{A, B, C, D}, 北村未歩^E, 堀場弘司^F, 組頭広志^G, 高橋隆^{A, B, C}, 佐藤宇史^{A, B, C, H}
5: 1T’/1H相が共存したMoTe₂原子層薄膜のマイクロARPES; 東北大院理^A, 東北大CSRN^B, 東北大WPI-AIMR^C, JST-PRESTO^D, 高エ研物構研^E, 量研機構^F, 東北大多元研^G, 東北大SRIS^H; 猿田康朗^A, 川上竜平^A, 加藤剛臣^A, 菅原克明^{A, B, C, D}, 北村未歩^E, 堀場弘司^F, 組頭広志^G, 高橋隆^{A, B, C}, 佐藤宇史^{A, B, C, H}
6: グラフェン/WSe₂ヘテロ接合における磁気輸送特性評価; 千葉大物質, 成均館大^A, 物材機構^B; 横井和史, 坂梨昂平, Gil-Ho Kim^A, 渡邊賢司^B, 谷口尚^B, 青木伸之
7: 量子ホールトポロジカル絶縁体状態における磁気触媒効果の発見; ロスアラモス研MPA-Q^A, 東北大金研^B, 東大工^C, 名大理^D, グルノーブル強磁場研CNRS^E, 東理大理工^F; 平田倫啓^{A, B}, 谷口智隆^C, 宮川和也^C, 大木大悟^D, 谷雄大^D, 小林晃人^D, マヤフィーアドリアン^E, クレーマーシュテファン^E, ホルヴァティックムラデン^E, ベルティエクロード^E, 田村雅史^F, 鹿野田一司^C

1: 散乱行列のパラメータ制御による多端子ジョセフソン接合に創発するワイル特異点の操作; 阪大院基礎工^A, 阪府大院工^B; 竹村建人^A, 横山知大^A, 石原一^{A, B}
2: 超伝導近接効果によるInAs二次元電子系の電気伝導度の変化; 東大物性研; 中村壮智, 橋本義昭, 勝本信吾
3: 超伝導・InAsナノワイヤ複合型量子ドットにおけるコトンネリング・ピークの偶奇性効果; NTT物性基礎研; 高瀬恵子, 芦川耶眞登, 章国強, 舘野功太, 佐々木智
4: 選択的領域成長型二重ナノ細線デバイスでの非局所ジョセフソン効果; 理研, JSTさきがけ^A, カリフォルニア大^B, 東大工^C, 東理大^D; 松尾貞茂^A, Joon Sue Lee^B, Chien Chang^A, 佐藤洋介^C, 上田健人^C, Christopher Palmstrom^B, 樽茶清悟^D
5: ジョセフソン接合同士の結合に誘起される自発超伝導電流の観測; 理研, JSTさきがけ^A, 東理大^B, 東大工^C, パデュー大^D; 松尾貞茂^A, 井本隆哉^B, 佐藤洋介^C, Tyler Lindemann^D, Sergei Gronin^D, Geoffrey Gardner^D, Michael Manfra^D, 樽茶清悟^B
6: 位相差に依存するアンドレーエフ分子のトンネル分光測定; 理研, JSTさきがけ^A, 東理大^B, 東大工^C, パデュー大^D; 松尾貞茂^A, 井本隆哉^B, 佐藤洋介^C, Tyler Lindemann^D, Sergei Gronin^D, Geoffrey Gardner^D, Michael Manfra^D, 樽茶清悟^B
7: 異方的超伝導体接合における熱電効果の理論2; 名大工; 田村駿, 田仲由喜夫
8: 低温の絶縁体における熱電効果の理論; 東大工, 理研CEMS^A; 大西由吾, 磯部大樹, 永長直人^A

1: トポロジカルディラック半金属を用いた連続的抵抗制御：トポロジカルディラックメモリスタ; 東北大金研^A, 東北大CSRN^B; 小林浩二^A, 野村健太郎^{A, B}
2: 反強磁性ディラック電子系直方晶CuMnAsの有効模型とスピンホール伝導率; 東北大金研; 木村春貴, 野村健太郎
3: ドープされた磁性ワイル半金属の磁気秩序およびスピン電荷輸送の理論; 東北大金研^A, CSRN^B; 小沢耀弘^A, 野村健太郎^{A, B}
4: 強磁性ワイル半金属Co₃Sn₂S₂薄膜の第一原理計算：構造最適化と有効模型解析; 東大工; 仲澤一輝, 加藤康之, 求幸年
5: ワイル電子系における軌道由来の負の磁気抵抗とプレーナーホール効果; 電通大基盤理工; 山田暉馨, 伏屋雄紀
6: 軸性磁気効果における磁化エネルギー流; 分子研, 原子力機構先端基礎^A; 下出敦夫, 荒木康史^A

7: 高次トポロジカル絶縁体等のコーナー状態の波動関数および侵入長の異方性; 東工大理^A, 東工大元素戦略研究セ^B; 荒井宣裕^A, ^○村上修一^{A, B}
8: 回転対称な2次元絶縁体における一般的な角電荷公式; 東工大理, 東工大元素戦略研究セ^A; 高橋亮, Tiantian Zhang, 村上修一^A
9: 2次トポロジカル絶縁体の階段端におけるギャップレスな端状態; 広大院先進, 産総研MathAM-OIL^A, JST PRESTO^B; 長郷友紀, ^○高根美武, 吉村幸徳^A, 林晋^{A, B}, 中西毅^A
10: 鏡映対称性に守られた動的量子相転移およびその高次トポロジカル相における例; 東北大情報^A, 東工大科創研^B, シグマアイ^C; 奥川亮^A, 押山広樹^A, 大関真之^{A, B, C}

1: 量子ホール効果の非相反応答における抵抗法則; スイス連邦工科大学チューリッヒ校; 岩切秀一, Lev Ginzburg, Mark Röösli, Christian Reichl, Matthias Berl, Werner Wegscheider, Thomas Ihn, Klaus Ensslin
2: エッジマグネトプラズモンの実時間顕微測定; 東北大理^A, 物材機構^B, 東北大CSRN^C; 神山晃範^A, 松浦雅広^A, John N. Moore^A, 間野高明^B, 遊佐剛^{A, C}
3: 量子ホールエッジチャネルにおけるホットエレクトロン注入による電子正孔励起の生成と減衰; 東工大理^A, NTT物性基礎研^B; 鈴木光太郎^A, 秦徳郎^A, 佐藤裕也^A, 秋保貴史^B, 村木康二^B, 藤澤利正^A
4: 分数-整数量子ホール接合における電荷中性モードの伝播特性; NTT物性研^A, JST PRESTO^B; 橋坂昌幸^{A, B}, 秋保貴史^A, 佐々木智^A, 熊田倫雄^A, 村木康二^A

1: 連続系における非エルミートブロッホバンド理論; 理研, NTT物性研^A, 東工大^B, 元素戦略セ^C; 横溝和樹, 養田大騎^A, 村上修一^{B, C}
2: 非エルミート・非正規ハミルトニアンの量子ダイナミクス; 京大基研, QunaSys^A; 大熊信之, 中川裕也^A
3: 不定値エルミート行列からなる一般化固有値問題のトポロジカルバンド理論; 筑波大数理; 磯部拓磨, 吉田恒也, 初貝安弘
4: 1次元非エルミート表皮効果に対する乱れの効果; 京大基研; 中井雄介, 大熊信之, 佐藤昌利
5: 非ユニタリー量子ウォークにおける表皮効果の理論と実証実験; 北大工, 京大理^A, 京大工^B; 小布施秀明, 川上則雄^A, 岡本亮^B

分野別プログラム

領域4